黑硅的制造技术和应用研究

旋 李, 鹏 艾

摘要


自从发现黑硅以来，世界各地的科学家一直在努力想出新颖的、具有成本效益的方法将这种超级材料用于各种不同的行业，因为黑硅的低反射率和良好的光电特性。论文阐释了最常见的黑硅制造方法，包括金属辅助化学刻蚀、反应性离子刻蚀和飞秒激光辐射。对不同的硅纳米结构表面根据其反射率以及在可见光和红外线范围内的适用特性进行了评估，讨论了大规模生产黑硅的最具成本效益的技术，以及一些有希望取代硅的材料。此外，还研究了黑硅在太阳能电池、红外光电探测器和抗菌的应用。

关键词


黑硅；刻蚀；光电检测；太阳能电池

全文:

PDF

参考


Chen K, Pasanen T P, Vahanissi V, et al. Effect of MACE Parameters on Electrical and Optical Properties of ALD Passivated Black Silicon[J]. IEEE Journal of Photovoltai cs,2019,9(4):974-979.

Shen J, Chen G, Vu A M, et al. Engineering the Upconversion Nanoparticle Excitation Wavelength: Cascade Sensitization of Tri‐doped Upconversion Colloidal Nanoparticles at 800 nm[J]. Advanced Optical Materials,2014,1(9):644-650.

Jansen H, Boer M D, Legtenberg R, et al. The black silicon method: a universal method for determining the parameter setting of a fluorine-based reactive ion etcher in deep silicon trench etching with profile control[J]. Journal of Micromechanics & Micr oengineering,1999,5(2):115-120.

Her T H, Finlay R J, Wu C, et al. Microstructuring of silicon with femtosecond laser pulses[J]. Applied Physics Letters,1998,3(12):1673-1675.

Tull B R, Winkler M T, Mazur E. The role of diffusion in broadband infrared absorption inchalcogen-doped silicon[J]. Applied Physics A, 2009,96(2):327-334.

Weida, Hu. Single InAs nanowire room-temperature near-infrared photodetectors[C]// 2014国际纳米技术和新能源材料研讨 会——暨世界著名科学家来鄂讲学计划武汉论坛.

Petrus, Michiel, L, et al. Capturing the Sun: A Review of the Challenges and Perspectives of Perovskite Solar Cells[J]. Advanced Energy Materials,2018.




DOI: https://doi.org/10.12346/etr.v5i2.7694

Refbacks

  • 当前没有refback。